CMOS激光位移传感器(SM-A系列)

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CMOS激光位移传感器(SM-A系列)

▷ 短、中、长三种检测距离可选

▷ 体积小、光点小、精度高

▷ 同时具备开关量及模拟量双重输出

▷ 多种功能、多种检测模式,适用于更多应用场景


❏ 基于激光三角测量原理,结合高精度CMOS影像传感器和创新算法,实现微米级测量精度

❏ 不受被测物体材质限制,可测量位移、厚度、振动、距离、直径、表面轮廓等多种几何参数

❏ 多种输出方式,易于与自动化系统、机器人或计算机集成,实现数据实时分析与流程控制

多种功能、多种检测模式,适用于更多应用场景

种类

双重输出型

双重输出型

开关量输出型

双重输出型

开关量输出型

双重输出型

开关量输出型

双重输出型

NPN输出

SM-A030MN

SM-A050MN

SM-A100N

SM-A100MN

SM-A200N

SM-A200MN

SM-A400N

SM-A400MN

PNP输出

SM-A030MP

SM-A050MP

SM-A100P

SM-A100MP

SM-A200P

SM-A200MP

SM-A400P

SM-A400MP

测量中心距离

30mm

50mm

100mm

200mm

400mm

检测范围

±5mm

±15mm

±35mm

±80mm

±200mm

重复精度

10μm

50μm

100μm

200μm

400μm(测量距离200mm-400mm)800μm(测量距离400mm-600mm)

直线性

±0.2%F.S.

±0.2%F.S.

±0.2%F.S.

±0.2%F.S.

士0.2%F.S.(测量距离 200mrn-400mm)士0.3%F.S.(测量距离 400mmn-600mm)

温度特性

0.03%F.S./°C

光源

红色半导体激光2类,最大输出:1mW,发光光束波长:655nm

光束直径

约ø50μm

约ø100μm

约ø150μm

约ø300μm

约ø500μm

电源电压

12V~24VDC士10%脉动P-P10%

消耗电流

40mA 以下(电源电压24V DC时),60mA以下(电源电压 12V DC时)

控制输出

 NPN开路集电极晶体管                     PNP开路集电极晶体管

·最⼤流⼊电流:50mA                                                  ·最⼤流⼊电流:50mA

·外加电压:30VDC以下(控制输出-0V之间)               ·外加电压:30VDC以下(控制输出和+V之间)

·剩余电压:1.5V以下(流⼊电流50mA时)             ·剩余电压:1.5V以下(流出电流50mA时)

·漏电流:0.1mA以下                                                     ·漏电流:0.1mA以下                                       

输出动作

入光时ON/非入光时ON可切换

短路保护

 配备(自动恢复型)

电压模拟量输出

(警报时:+5.2V)

输出范围: OV-5V

输出阻抗:100Ω

输出范围: 0V-5V

输出阻抗:100Ω

/

输出范围: 0V-5V

输出阻抗:100Ω

/

输出范围: 0V-5V

输出阻抗:100Ω

/

输出范围: 0V-5V

输出阻抗:100Ω

电流模拟量输出

(警报时:0mA)

输出范围: 4~20mA

负载阻抗:300Ω或更少

输出范围: 4~20mA

负载阻抗:300Ω或更少

/

输出范围: 4~20mA

负载阻抗:300Ω或更少

/

输出范围: 4~20mA

负载阻抗:300Ω或更少

/

输出范围: 4~20mA

负载阻抗:300Ω或更少

反应时间

1.5ms/5ms/10ms 可切换

外部输出

NPN/PNP 无接点输入,有效:0V~+1.2V DC输入阻抗:10KΩ

保护构造

IP67(IEC)

污损程度

2

使用环境温度

-10°C~+40°℃(注意不可结露、结冰)、保存时:-20°C~+60°C

使用环境湿度

35%~85%RH、保存时:35%~85%RH

使用环境照度

白炽灯:受光面照明度3,000Lux以下

使用标高

2,000m以下

电缆

带0.15mmФ5 芯复合电缆2m

材质

本体外壳: 铝铸件,前面盖板: 丙烯基

重量

约35g(不含电缆)约85g(含电缆)

适用规格

符合EMC指令


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说明书|3D模型
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